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Ultra-low acoustic-phonon-limited mobility and giant phonon-drag thermopower in MgZnO/ZnO heterostructures

机译:超低声学声子限制的移动性和巨大的声子 - 阻力   mgZnO / ZnO异质结构中的热电势

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摘要

We present numerical simulations of the acoustic-phonon-limited mobility,$\mu_{ac}$, and phonon-drag thermopower, $S^{g}$, in two-dimensional electrongases confined in MgZnO/ZnO heterostructures. The calculations are based on theBoltzmann equation and are made for temperatures in the range 0.3-20 K andsheet densities $0.5$-$30\times 10^{15}$ m$^{-2}$. The theoretical estimationsof $\mu_{ac}$ are in good agreement with the experiment without any adjustableparameters. We find that the magnitude of $\mu_{ac}$ is dramatically decreasedin relation to GaAs based heterostructures. The phonon-drag thermopower,$S^{g}$, which according to Herring's expression is inversely proportional to$\mu_{ac}$ is severely increased exceeding 200 mV/K at $T=5$ K depending onsheet density. The giant values of $S^{g}$ lead to a strong improvement of thefigure of merit $ZT$ at low temperatures. Our findings suggest that MgZnO/ZnOheterostructures can be candidates for good thermoelectric materials atcryogenic temperatures.
机译:我们提供了有限的MgZnO / ZnO异质结构二维电子气中声子有限声子迁移率$ \ mu_ {ac} $和声子拖动热能$ S ^ {g} $的数值模拟。该计算基于Boltzmann方程,是针对温度范围为0.3-20 K和片材密度$ 0.5 $-$ 30 \乘以10 ^ {15} $ m $ ^ {-2} $进行的。在没有任何可调整参数的情况下,$ \ mu_ {ac} $的理论估计与实验非常吻合。我们发现,与基于GaAs的异质结构相比,$ \ mu_ {ac} $的幅度大大降低。根据Herring的表达式,声子拖动热功率$ S ^ {g} $与$ \ mu_ {ac} $成反比,在$ T = 5 $ K时,声张热功率严重超过200 mV / K,具体取决于纸张的密度。 $ S ^ {g} $的巨大价值极大地改善了低温下优点ZT $的性能。我们的发现表明,MgZnO / ZnO异质结构可以成为低温条件下良好热电材料的候选材料。

著录项

  • 作者

    Tsaousidou, Margarita;

  • 作者单位
  • 年度 2014
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
  • 中图分类

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